三星计划在2025年开始大规模生产基于GAA的2nm芯片

IT之家6月20日消息，星计m芯据BusinessKorea报道，划年正计划通过在未来三年内打造3纳米GAA（Gate-all-around）工艺来追赶世界第一大代工公司——。开始

据悉，大规的GAA是模生下一代工艺技术，改进了半导体晶体管的产基结构，使栅极可以接触到晶体管的星计m芯所有四面，而不是划年目前FinFET工艺的三面，GAA结构可以比FinFET工艺更精确地控制电流。开始

根据TrendForce的大规的数据，在2021年第四季度，模生台积电占全球代工市场的产基52.1%，远远超过三星电子的星计m芯18.3%。

三星电子正押注于将GAA技术应用于3纳米工艺，划年以追赶台积电。开始据报道，这家韩国半导体巨头在6月初将3纳米GAA工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用GAA技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台积电的差距。3纳米工艺将半导体的性能和电池效率分别提高了15%和30%，同时与5纳米工艺相比，芯片面积减少了35%。

继今年上半年将GAA技术应用于其3纳米工艺后，三星计划在2023年将其引入第二代3纳米芯片，并在2025年大规模生产基于GAA的2纳米芯片。台积电的战略是在今年下半年使用稳定的FinFET工艺进入3纳米半导体市场，而三星电子则押注于GAA技术。

专家称，如果三星在基于GAA的3纳米工艺中保证了稳定的产量，它就能成为代工市场的游戏规则改变者。台积电预计将从2纳米芯片开始引入GAA工艺，并在2026年左右发布第一个产品。对于三星电子来说，未来三年将是一个关键时期。

最近，三星宣布，在未来五年内，将在半导体等关键行业投资共计450万亿韩元（约2.34万亿元人民币）。然而，三星在3纳米工艺方面遇到了障碍。与三星一样，台积电在提高3纳米工艺的产量方面也有困难。

IT之家了解到，台积电原本计划从7月开始用3纳米技术为和大规模生产半导体，但在确保的产量方面遇到了困难。DigiTimes报道称，台积电在确保3纳米工艺的理想产量方面遇到了困难，因此多次修改其技术路线图。

三星电子也面临着类似的情况，3纳米工艺的试生产用晶圆已经投入使用，但由于产量低的问题，该公司一直在推迟宣布正式的大规模生产。证券的研究主管RohKeun-chang说：“除非三星电子为其7-nm或更先进的工艺确保足够的客户，否则可能会加剧投资者对三星电子未来业绩的焦虑。”

(责任编辑：知识)